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Rückblick: Tagung "Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern" am 15. und 16.09.2011 in Berlin

Die Tagung "Technologie und Anwendung von Nitrid-Halbleitern" des Konsortiums , Berlin WideBaSe' am 15. und 16.09.2011 ist erfolgreich verlaufen. Mehr als 90 Teilnehmer aus Wissenschaft, Wirtschaft und Politik informierten sich über den neuesten Stand und die Anwendungspotentiale der Halbleiter mit großer Bandlücke. Am zweiten Tag nahmen zeahlreiche Teilnehmer/-innen die Möglichkeit war, an Führungen im Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut für Höchstfrequenztechnik und im Leibniz-Institut für Kristallzüchtung teilzunehmen. Darüber hinaus bestand die Gelegenheit, bilaterale Gespräche mit Partnern aus dem ,Berlin WideBaSe' Konsortium zu führen.


Nachfolgend stellen wir Ihnen die im Rahmen der Tagung gehaltenen Vorträge zum Download zur Verfügung. Für einige Vorträge liegt uns noch keine Freigabe der Referenten/-innen für die Veröffentlichung vor. Wir werden Ihnen diese Vorträge so bald wie möglich zum Download auf dieser Seite zur Verfügung stellen.

",Berlin WideBaSe' - Ein Bündnis stellt sich vor" 

Dr. Peter Rotsch, Sprecher ,Berlin WideBaSe'

"UV-LEDs - Von der Materialforschung bis zum Bauelement

Prof. Michael Kneissl, Technische Universität Berlin

"AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor based MMICs" 

Prof. Herbert Zirath, Chalmers University of Technology

"GaN-basierte Leistungselektronik in der Automobiltechnik"

Dr. Frederik Schrey, Robert Bosch GmbH

"Group III-Nitrides: Research and Commercialization in Poland"

Prof. Michal Leszcynski, Polish Academy of Sciences

 


Im kommenden Jahr können Sie das Konsortium ,Berlin WideBaSe' auf der microsys berlin vom 19. bis 21.03.2012 auf dem Messegelände Berlin finden. Dort wird auch eine Session zu Wide Bandgap Semiconductors stattfinden. Wir würden uns sehr freuen, Sie dort zu begrüßen und begonnene Gespräche fortzusetzen.